Hi all,
I am working on mid-IR spectroscopy of donor bound excitons in the Si host. I am using an FTIR spectrometer with InSb detector and + KBr or CaF2 beamsplitter. I apply above-bandgap excitation at 671 nm with power levels up to 40 mW. The donors are ion-implanted and consequently drive-in diffused. I need to observe a PL emission at the vicinity of 3 um, while the next highest transition is at 2.2 um, while donor ionization energy is 2.1 um. I observe a broad emission from 2.3-2.4 um to 3.2 um. This emission possesses multiple peaks but overlapping with each other. The emission at 3 um is barely recognized. There is a temperature and power dependency of emission intensity but not much change for the shape. I want to identify the originating factor for this emission. What should I do? How can I isolate and amplify the desired emission>
@ Mурат Джан Сарихан, вы имете широкий выброс от 2,3-2,4 мкм до 3,2 мкм. Это излучение имеет несколько пиков, но перекрывает друг друга. Эмиссия на уровне 3 мкм практически не распознается. Интенсивность излучения зависит от температуры и мощности, но форма не сильно меняется. источник этого выброса Что делать? Как я могу выделить и усилить желаемое излучение?
Возможно, источник накачки должен иметь длину волны большую, чем 671 нм. На мой взгляд Вы получите смещение в желаемую область спектра.
Пики должны также переместится. С уважением, Оглуздин В.Е.
- Badges
- Science topic
- Similar topics
- Clinical Pharmacology
- Dosing