Метод магнетронного распыления не критичен к материалу подложки. Можно выращивать плёнки оксида цинка на любой поверхности(монокристалы, стекло, кремний любого типа проводимости). Данным методом мы выращиваем плёнки оксида цинка.
Про кремний P-типа. В данном случае, плёнки синтезируются эпитаксиальными методами на ориентирующих подложках. Также стоит учитывать, что оксид цинка - это полупроводник n-типа.
Magnetron sputtering method is not critical to the substrate material. Can be grown zinc oxide film on any surface (single crystal, glass, silicon of any conductivity type). This method we grow zinc oxide film.
About P-type silicon. In this case, the film synthesized epitaxial methods for orienting substrates. It is also worth considering that the zinc oxide - semiconductor is n-type.
The answer depends on what you want to achieve with your films. Typically, p-type Si is used for producing thin film transistors (TFT) based on zinc nitride because n-type Si is not good enough for TFT performance. There are, probably, realistic cases when n-type Si is more interesting for applications. See the attached review paper for further discussion.