Cher, Fatima Zohra Boutebakh, j'espère que vous allez bien

Le facteur d’idéalité c’est un facteur fondamental qui nous donne l’information sur la qualité de nos diodes Schottky fabriqués. Le facteur d’idéalité comprend tous les effets inconnus qui rendent la diode Schottky une diode non-idéale [Sch]. Ces effets inconnus sont : l’effet de la force image, la présence de l’isolant à l’interface, la présence des états d’interface, le courant de recombinaison et l’effet tunnel à travers la barrière [Ham-Sih]. Autrement dit: le courant de fuite dans la grande surface, la grande densité des centres de recombinaison en volume dans la région de déplétion, la grande densité des états d’interfaces ainsi une résistance série élevée [Li]. Donc le facteur d'idéalité représente l'écart entre la caractéristique (I-V) expérimental de la caractéristique (I-V) idéale.    

n value or ideality factor is the difference or deviation of your fabricated Schottky cell characteristics to the ideal Schottky diode. The Barrier height, series resistance and saturation current are the main parameters to define n but the contribution of other factors (such as thermionic emission) are not to be neglected for a better estimation. I am using Cheung method in my work and I am not sure if there is a better option to that method. My article : J. Nanosci. Nanotechnol. Vol. 15, 4480–4486, 2015.  U can only find a draft on my page here on researchgate

Thank's so much Dear Dr Ibrahim and Pierre, Your answers was very useful 

Best regards.

The ideality factor, it is approximately constant , it is dimensionless, It expresses the change in barrier height under forward bias , the value of n is close to 1 ; (1.04-1.06) at room temperature.